关于半导体研究方向较多,以中科院半导体研究所为例,主要的研究方向有:低维半导体材料、红外及THz量子级联材料与器件、光子集成材料和器件、宽禁带半导体材料与器件、单晶衬底及特殊环境半导体材料。 单独招收半导体材料方向的研究生院校比较少,大 ...
在半导体被发现之前,人们认为世界上的材料根据导电性分类只可以被分为“导电”和“不导电(绝缘)”两种。 按分类方法中的“相互独立、完全穷尽”的原则看,这是对世界上材料非常完美的分类方法,那为什么还会出现“半导体”这一分类呢?
宽禁带半导体是对硅材料的有益补充。以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带(第三代)半导体凭借优异的物理特性,天然适合制作高压、高频、高功率的半导体器件。 第三代半导体是指使用新的材料和器件结构制造的半导体器件,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等。
核心就是跃迁。以半导体中的电子为例(电子方便讨论一些),跃迁无非就是(1)电子从价带进入导带和(2)电子从导带进入价带,那么用半导体物理的语言,即分别对应(1)导带电子-价带空穴对的产生和(2)导电电子-价带空穴对的复合。
就第三代半导体器件而言,这类半导体器件几乎都做在外延层上,碳化硅晶片本身只作为衬底。SiC外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数直接决定着SiC器件的各项电学性能。高电压应用的碳化硅器件对于外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数提出新的要求。
半导体的电导率随温度、光照、电磁场的变化而变化,这一独特特性使其成为制造电子元件的理想材料。常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs),其中硅是最常用的半导体材料,因其丰富的资源和较低的成本而广受欢迎。
再比如一些化合物半导体材料,如砷化镓、InP、GaN和SiC,都有一些致命 的缺陷,比如砷化镓虽然比硅有着更高的电子迁移率,但是缺乏天然的氧化物,妨碍了MOS器件的制作。此外,砷化镓的成本大约是硅的10倍。
学材料工程的我,双非院校,2020届毕业,在半导体企业做芯片验证,上海张江一个小公司。 专业决定不了你以后就业,只能影响你就业 如果你靠着高分子专业,想去找份芯片验证的工作,无异于痴人说梦。
除了硅和锗,还有其他一些半导体材料,包括: 1. 砷化镓(GaAs):砷化镓是一种重要的化合物半导体材料,具有高电子迁移率、高击穿电场、低介电常数和低噪声等优点,适用于高频、高速、大功率和高集成度的电子器件。
2020年10月16日 · 材料物理性能,量子力学,半导体物理,固体物理,这是我目前了解到的一些科目。 是一上来直接看半导体物理,还是最后看半导体物理? 还是这些科目不全,还要补充其…